Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STD60NF06T4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 60А 110Вт
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.016 ом при 30a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 110
Крутизна характеристики, S 20
Корпус dpak
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 60В |
| Ток стока макс. | 60A |
| Сопротивление открытого канала | 16 мОм |
| Мощность макс. | 110Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 66нКл |
| Входная емкость | 1810пФ |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Корпус | DPAK |
| Вес брутто | 0.6 г. |
| Наименование | STD60NF06T4 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка | 2500 шт |
