Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STFW4N150, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 1500В 4А 63Вт
The STFW4N150 is a 1500V N-channel Power MOSFET developed using the well consolidated high voltage MESH OVERLAY™ process. The strengthened layout coupled with the proprietary edge termination structure gives the lowest RDS (on) per area, unrivalled gate charge and switching characteristics. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• 100% Avalanche tested
• Intrinsic capacitances and Qg minimized
• High speed switching
• High peak power
• High ruggedness capability
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 7 ом при 2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 63
Крутизна характеристики, S 3.5
Корпус to3pf
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 7.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 1500В |
| Ток стока макс. | 4A |
| Сопротивление открытого канала | 7 Ом |
| Мощность макс. | 63Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 50нКл |
| Входная емкость | 1300пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-3PF |
| Вес брутто | 7.34 г. |
| Наименование | STFW4N150 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
