Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220]
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching.
| Технология/семейство | PowerMESH |
| Наличие встроенного диода | Да |
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 20 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 30 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 65 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 17 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 72 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
