Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STGWA30H65DFB2 IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247
Semiconductors\Discrete Semiconductors\IGBTsThe STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 167 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 167Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
