Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP10NK60Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 10А 115Вт
• Очень высокий уровень характеристики dv/dt
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.75 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 115
Крутизна характеристики, S 7.8
Корпус to220ab
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 10A |
| Сопротивление открытого канала | 750 мОм |
| Мощность макс. | 115Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
| Заряд затвора | 70нКл |
| Входная емкость | 1370пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220AB |
| Вес брутто | 2.7 г. |
| Наименование | STP10NK60Z |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
