Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
STP10NK70ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 700В 8.6А 35Вт
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.85 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 7.7
Корпус to220fp
Вес, г 2
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс. | 700В |
Ток стока макс. | 8.6A |
Сопротивление открытого канала | 850 мОм |
Мощность макс. | 35Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
Заряд затвора | 90нКл |
Входная емкость | 2000пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220FP |
Вес брутто | 2.52 г. |
Наименование | STP10NK70ZFP |
Производитель | ST Microelectronics |
Описание Eng | Field-effect transistor, N-channel, 700V 8.6A 35W |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |