Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP11NK50Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 10А 115Вт
The STP11NK50Z is a SuperMESH™ N-channel Zener-protected Power MOSFET obtained through an extreme optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications.
• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• -55 to 150°C Operating junction temperature range
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.52 ом при 4.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Крутизна характеристики, S 7.7
Корпус to220ab
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Ток стока макс. | 10A |
| Сопротивление открытого канала | 520 мОм |
| Мощность макс. | 125Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
| Заряд затвора | 68нКл |
| Входная емкость | 1390пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.82 г. |
| Наименование | STP11NK50Z |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-Channel 500V - 0.48 Ohm - 10A Zener-Protected |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
