Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP120NF10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 110А 300Вт
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.0105 ом при 60a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 312
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 4
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 110A |
| Сопротивление открытого канала | 10.5 мОм |
| Мощность макс. | 312Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 233нКл |
| Входная емкость | 5200пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.8 г. |
| Наименование | STP120NF10 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-MOS 100V, 110A, 300W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
