Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP13NM60N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11A
N-Channel MDmesh™, 600V/650V, STMicroelectronics
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.36 ом при 5.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 90
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 11A |
| Сопротивление открытого канала | 360 мОм |
| Мощность макс. | 90Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 30нКл |
| Входная емкость | 790пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220-3 |
| Вес брутто | 2.76 г. |
| Наименование | STP13NM60N |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
