Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP30NF10, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 35А 115Вт
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
Максимальная рабочая температура +175 °C
Максимальный непрерывный ток стока 35 A
Тип корпуса TO-220
Максимальное рассеяние мощности 115 W
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.6мм
Высота 9.15мм
Размеры 10.4 x 4.6 x 9.15мм
Материал транзистора SI
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.4мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 15 нс
Производитель STMicroelectronics
Типичное время задержки выключения 45 ns
Серия STripFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Minimum Gate Threshold Voltage 2V
Максимальное сопротивление сток-исток 45 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток 100 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 40 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 1180 пФ при 25 В
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -20 В, +20 В
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 100В |
| Ток стока макс. | 35A |
| Сопротивление открытого канала | 45 мОм |
| Мощность макс. | 115Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4В |
| Заряд затвора | 55нКл |
| Входная емкость | 1180пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220 |
| Вес брутто | 2.72 г. |
| Наименование | STP30NF10 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-CHANNEL 100V 0.038 OHM 35A LOW GATE CHARGE STRIPFET POWER II MOSFET |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
