Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
STP4NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт
Цена по запросу

STP4NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт

MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 3.5ohm Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 800V Voltage, Vds Max 800V Voltage, Vgs Rds N Channel 10V Voltage, Vgs th Min 3V dv/dt 4.5V/µs Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 ом при 1.5a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80 Крутизна характеристики, S 2.9 Корпус to220ab Пороговое напряжение на затворе 3…4.5 Вес, г 2.5 ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс. 800В
Ток стока макс. 3A
Сопротивление открытого канала 3.5 Ом
Мощность макс. 80Вт
Тип транзистора N-канал
Пороговое напряжение включения макс. 4.5В
Заряд затвора 22.5нКл
Входная емкость 575пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-220AB
Вес брутто 2.7 г.
Наименование STP4NK80Z
Производитель ST Microelectronics
Описание Eng MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт