Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
STP4NK80Z, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 3 Ом, 80Вт
MOSFET, N TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Current, Id Cont 3A Resistance, Rds On 3.5ohm Case Style TO-220 (SOT-78B) Alternate Case Style SOT-78B Current, Idm Pulse 12A N-channel Gate Charge 22.5nC No. of Pins 3 Power, Pd 80W Resistance, Rds on @ Vgs = 10V 3.5ohm Temperature, Tj Max 150°C Temperature, Tj Min -55°C Voltage, Rds Measurement 10V Voltage, Vds 800V Voltage, Vds Max 800V Voltage, Vgs Rds N Channel 10V Voltage, Vgs th Min 3V dv/dt 4.5V/µs
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 800 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 800
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 ом при 1.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Крутизна характеристики, S 2.9
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 3…4.5
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс. | 800В |
Ток стока макс. | 3A |
Сопротивление открытого канала | 3.5 Ом |
Мощность макс. | 80Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
Заряд затвора | 22.5нКл |
Входная емкость | 575пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220AB |
Вес брутто | 2.7 г. |
Наименование | STP4NK80Z |
Производитель | ST Microelectronics |
Описание Eng | MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |