Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STP5NK50ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.4А 25Вт
• 1.22R RDS (ON)
• Extremely high dV/dt capability
• Improved ESD capability
• 100% Avalanche rated
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitances
• Very good manufacturing repeatability
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 1.5 ом при 2.2a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 25
Крутизна характеристики, S 3.1
Корпус to220fp
Пороговое напряжение на затворе 3…4.5
Вес, г 2
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 500В |
| Ток стока макс. | 4.4A |
| Сопротивление открытого канала | 1.5 Ом |
| Мощность макс. | 25Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 4.5В |
| Заряд затвора | 28нКл |
| Входная емкость | 535пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-220F |
| Вес брутто | 2.34 г. |
| Наименование | STP5NK50ZFP |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-MOS+D 500V, 4.4A, 25W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 50 шт |
