Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
STP80NF12, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт
Цена по запросу

STP80NF12, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 120 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 ом при 40a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300 Крутизна характеристики, S 80 Корпус to220ab Пороговое напряжение на затворе 2…4 Вес, г 2.5 ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс. 120В
Ток стока макс. 80A
Сопротивление открытого канала 18 мОм
Мощность макс. 300Вт
Тип транзистора N-канал
Особенности Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора 189нКл
Входная емкость 4300пФ
Тип монтажа Through Hole
Корпус TO-220
Вес брутто 2.72 г.
Наименование STP80NF12
Производитель ST Microelectronics
Описание Eng MOSFET N-CH 120V 80A TO-220, 300W
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 50 шт