Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
STP80NF12, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 120В 80А 300Вт
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 120
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 80
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.018 ом при 40a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 300
Крутизна характеристики, S 80
Корпус to220ab
Пороговое напряжение на затворе 2…4
Вес, г 2.5
ST Microelectronics
Напряжение исток-сток макс. | 120В |
Ток стока макс. | 80A |
Сопротивление открытого канала | 18 мОм |
Мощность макс. | 300Вт |
Тип транзистора | N-канал |
Особенности | Logic Level Gate |
Пороговое напряжение включения макс. | 2В |
Заряд затвора | 189нКл |
Входная емкость | 4300пФ |
Тип монтажа | Through Hole |
Корпус | TO-220 |
Вес брутто | 2.72 г. |
Наименование | STP80NF12 |
Производитель | ST Microelectronics |
Описание Eng | MOSFET N-CH 120V 80A TO-220, 300W |
Тип упаковки | Tube (туба) |
Нормоупаковка | 50 шт |