Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STW11NM80, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 8А, 150Вт, TO247
Описание Транзистор полевой STW11NM80 от STMicroelectronics — высокомощный компонент для силовой электроники. Устройство выполнено в надежном корпусе TO247, предназначенном для монтажа THT (сквозное отверстие). Способно выдерживать ток стока до 8 А и напряжение сток-исток до 800 В, что делает его идеальным для высоковольтных применений. Мощность транзистора достигает 150 Вт, а сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,35 Ом, обеспечивая эффективную работу с минимальными потерями. Тип N-MOSFET подчеркивает эффективность и надежность использования в различных схемах. Код товара STW11NM80 гарантирует соответствие международным стандартам качества и безопасности. Характеристики
Категория
Транзистор
Тип
полевой
Вид
N-MOSFET
Монтаж
THT
Ток стока, А
8
Напряжение сток-исток, В
800
Мощность, Вт
150
Сопротивление в открытом состоянии, Ом
0.35
Корпус
TO247
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 8 |
| Напряжение сток-исток, В | 800 |
| Мощность, Вт | 150 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.35 |
| Корпус | TO247 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | MDmesh |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Width | 5.15mm |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 600 |
| Fall Time | 15 ns |
| Forward Transconductance - Min | 8 S |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 150 W |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 43.6 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
| Rise Time | 17 ns |
| Series | STW11NM80 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Tradename | MDmesh |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 22 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.6nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Standard Package | 30 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 4.47 |
