Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STW20NM60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 20А 214Вт
The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• High dv/dt and avalanche capabilities
• 100% Avalanche tested
• Low input capacitance and gate charge
• Low gate input resistance
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.29 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 192
Крутизна характеристики, S 11
Корпус to247
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 7.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 20A |
| Сопротивление открытого канала | 290 мОм |
| Мощность макс. | 192Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 54нКл |
| Входная емкость | 1500пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 6.6 г. |
| Наименование | STW20NM60 |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-MOS+D 600V, 20A, 214W |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
