Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

STW21NM60ND, Транзистор N-MOSFET 600В 17А [TO-247-3]

Описание Транзистор полевой STW21NM60ND от STMicroelectronics представляет собой высокопроизводительный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для самых разных применений в силовой электронике. Монтируемый с помощью традиционной сквозной технологии THT, этот транзистор обеспечивает ток стока до 10 А и может выдерживать напряжение сток-исток до 600 В, что делает его подходящим для работы с высокими напряжениями. С мощностью 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,17 Ом, STW21NM60ND является отличным выбором для повышения эффективности вашей схемы. Корпус типа TO247 удобен для монтажа и обеспечивает надежную работу устройства даже в условиях высокого энергопотребления. Используйте STW21NM60ND для создания мощных и надежных электронных конструкций. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 10 Напряжение сток-исток, В 600 Мощность, Вт 140 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.17 Корпус TO247

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	THT
Ток стока, А	10
Напряжение сток-исток, В	600
Мощность, Вт	140
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.17
Корпус	TO247
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	17A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 50V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	140W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 8.5A, 10V
Series	FDmeshв(ў II
Supplier Device Package	TO-247-3
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
Вес, г	7.5