Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
STW55NM60ND, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 51А 350Вт
Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 51
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.06 ом при 25.5a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 350
Крутизна характеристики, S 45
Корпус to247
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 7.5
ST Microelectronics
| Напряжение исток-сток макс. | 600В |
| Ток стока макс. | 51A |
| Сопротивление открытого канала | 60 мОм |
| Мощность макс. | 350Вт |
| Тип транзистора | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс. | 5В |
| Заряд затвора | 190нКл |
| Входная емкость | 5800пФ |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Корпус | TO-247 |
| Вес брутто | 7 г. |
| Наименование | STW55NM60ND |
| Производитель | ST Microelectronics |
| Описание Eng | N-channel 600 V, 0.047 Ohm, 51 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
