Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SUD23N06-31-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор полевой N-MOSFET SUD23N06-31-GE3 от производителя VISHAY представляет собой высококачественный компонент для SMD монтажа. С током стока 21,4 А и напряжением сток-исток 60 В, этот полевой транзистор обладает мощностью 31,25 Вт и очень низким сопротивлением в открытом состоянии 0,031 Ом, что делает его идеальным выбором для эффективного управления мощностью. Корпус TO252 обеспечивает надежную защиту и удобство монтажа. Продукт SUD23N06-31-GE3 обладает отличными характеристиками для использования в широком спектре областей применения, начиная от электропитания и заканчивая автомобильной электроникой. Код товара SUD23N0631GE3 подтверждает его уникальность и обеспечивает легкость идентификации в каталоге. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 21.4 Напряжение сток-исток, В 60 Мощность, Вт 31.25 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.031 Корпус TO252

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	21.4
Напряжение сток-исток, В	60
Мощность, Вт	31.25
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.031
Корпус	TO252
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	23 A
Maximum Drain Source Resistance	31 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	60 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	3 W
Minimum Gate Threshold Voltage	1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	11 nC @ 10 V
Width	6.22mm