Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
SUD50N04-8M8P-4GE3, MOSFET 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V
Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Активные электронные компоненты DPAK
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 48.1 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 37 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
