Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

SUD50N06-09L-E3, MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V

Semiconductors\Discrete Semiconductors Описание Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 50А, 136Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)	50
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	9.3 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	60
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)	100
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	3
Maximum IDSS (uA)	1
Maximum Operating Temperature (°C)	175
Maximum Power Dissipation (mW)	8300
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Part Status	Active
PCB changed	2
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	TMOS
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-252
Supplier Package	DPAK
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	20
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	47
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	47 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	2650 25V
Typical Rise Time (ns)	15
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	35
Typical Turn-On Delay Time (ns)	10
Drain Source On State Resistance	0.0074Ом
Power Dissipation	136Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	60В
Непрерывный Ток Стока	50А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2В
Рассеиваемая Мощность	136Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0074Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный