Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
SUM70030E-GE3, MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263
Semiconductors\Discrete Semiconductors
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0024Ом |
Power Dissipation | 375Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | TrenchFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 150А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 375Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0024Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |