Контакты
с 8:00 до 22:00
без выходных
8 (812) 920-85-20
многоканальный
sales@bastion24.ru Заказать звонок

Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
SUP85N15-21-E3, Транзистор
Цена по запросу

SUP85N15-21-E3, Транзистор

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 85A
Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
HTS 8541.21.00.75
Lead Shape Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A) 85
Maximum Drain Source Resistance (MOhm) 21@10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 150
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 4
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 175
Maximum Power Dissipation (mW) 2400
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Height 9.01(Max)
Package Length 10.41(Max)
Package Width 4.7(Max)
Part Status Active
PCB changed 3
Pin Count 3
PPAP No
Process Technology TrenchFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO
Supplier Package TO-220AB
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 170
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 76
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 76@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 4750@25V
Typical Rise Time (ns) 170
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 40
Typical Turn-On Delay Time (ns) 22
Вес, г 2.907

Дмитрий Тест

Хороший проц
Плюсы:
Да
Минусы:
Нет

Андрюшка

Нормуль
Плюсы:
Плюсы!

Заказать звонок

Заполните форму и мы перезвоним вам в течение 10 минут

Нажимая кнопку, я даю согласие на обработку персональных данных