Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

TK12A60W,S4VX, Транзистор N-MOSFET 600В 11.5A 35Вт [TO-220SIS]

МОП-транзистор N-Ch 600V 11.5A 35W DTMOSIV 890pF 25nC

Id - непрерывный ток утечки	11.5 A
Pd - рассеивание мощности	35 W
Qg - заряд затвора	25 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	23 ns
Время спада	5.5 ns
Высота	15 mm
Длина	10 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	DTMOSIV
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK12A60W
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	85 ns
Типичное время задержки при включении	45 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.5 mm
Вес, г	6