Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

TK31V60X,LQ

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзисторы DTMOSIV-H Полевые МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV-H подходят для приложений, требующих высокой надежности, энергоэффективности и компактного дизайна, таких как высокоэффективные импульсные источники питания для серверов и базовых телекоммуникационных станций, а также в качестве кондиционеров для фотоэлектрических инверторов. МОП-транзисторы DTMOSIV-H обеспечивают высокую скорость переключения при сохранении низкого уровня сопротивления в открытом состоянии, характерного для обычных DTMOSIV, и без потери мощности. Это достигается за счет уменьшения паразитной емкости между затвором и стоком, что также способствует повышению энергоэффективности и уменьшению размеров изделий.

Brand	Toshiba
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Triple
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity	2500
Fall Time	6 ns
Id - Continuous Drain Current	30.8 A
Manufacturer	Toshiba
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	DFN8x8-5
Pd - Power Dissipation	240 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	65 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	78 mOhms
Rise Time	22 ns
Series	TK31V60X
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Tradename	DTMOSIV-H
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	130 ns
Typical Turn-On Delay Time	55 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Vgs - Gate-Source Voltage	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V