Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

Заказать в 1 клик

TK5A80E,S4X

Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор PWR MOS PD=40W F=1MHZ

Id - непрерывный ток утечки	5 A
Pd - рассеивание мощности	40 W
Qg - заряд затвора	20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	2.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	25 ns
Время спада	15 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MOSVII
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	TK5A80E
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	80 ns
Типичное время задержки при включении	55 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3