Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
TP0610K-T1-GE3
Semiconductors\Discrete SemiconductorsМОП-транзистор -60V Vds 20V Vgs SOT-23
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Process Technology | TrenchFET |
| Configuration | Single |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.185 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6000@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.7@15V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 23@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Standard Package Name | SOT-23 |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Package Height | 1.02(Max) |
| Package Length | 3.04(Max) |
| Package Width | 1.4(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Id - непрерывный ток утечки | 185 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Qg - заряд затвора | 1.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | TP0610K-GE3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | TP0 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 185mA |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 350mW |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6О© @ 500mA,10V |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 3V @ 250uA |
| Maximum Continuous Drain Current | 185 mA |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ 15 V |
| Width | 1.4mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 185mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 6Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 23pF@25V |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.7nC@15V |
Похожие товары
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
