Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
TP2535N3-G, Транзистор P-МОП, -350В, -400мА, 740мВт, TO92
МОП-транзистор 350V 25Ohm
| Case | TO92 |
| Drain-source voltage | -350V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | bulk |
| Manufacturer | MICROCHIP TECHNOLOGY |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 25Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.74W |
| Pulsed drain current | -400mA |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 86 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 740 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 350 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.4 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 10 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 5.33 mm |
| Длина | 5.21 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип | FET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Торговая марка | Microchip Technology |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-92-3 |
| Ширина | 4.19 mm |
| Base Product Number | TP2535 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 86mA (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 350V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| PCN Packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| Power Dissipation (Max) | 740mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25Ohm @ 100mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-92-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Вес, г | 0.22 |
