Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
ZXTN04120HFFTA, TRANS NPN DARL 120V 1A SOT23F
Darlington Transistors, Diodes Inc.
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1,5 В |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Количество элементов на ИС | 2 |
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,7 В |
Длина | 3мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 140 V |
Максимальный запирающий ток коллектора | 0.01mA |
Производитель | DiodesZetex |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 120 V |
Максимальный непрерывный ток коллектора | 1 A |
Тип корпуса | SOT-23F |
Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Ширина | 1.7мм |
Тип транзистора | NPN |
Высота | 1мм |
Число контактов | 3 |
Размеры | 3 x 1.7 x 1мм |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 V |
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 140 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 120 V |
Configuration | Single |
DC Current Gain hFE Max | 3000 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 10 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum Collector Cut-off Current | 100 nA |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23F |
Product Category | Darlington Transistors |
Product Type | Darlington Transistors |
Series | ZXTN04 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
Maximum Collector Base Voltage | 140 V |
Maximum Collector Cut-off Current | 0.01mA |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 120 V |
Maximum Continuous Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 1000 |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-23F |
Pin Count | 3 |
Transistor Type | NPN |
Width | 1.7mm |
Collector Current (Ic) | 1A |
Collector cut-off current (Icbo@Vcb) | 10uA |
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.5V@2A, 5mA |
Collector-emitter voltage (Vceo) | 120V |
DC current gain (hFE@Vce,Ic) | 3000@5V, 1A |
Power Dissipation (Pd) | 1.5W |
Transition frequency (fT) | 120MHz |
Вес, г | 0.5 |