Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Infineon Technologies
| Напряжение коллектор-эмиттер | 1200В |
| Ток коллектора | 35А |
| Вес брутто | 180 г. |
| Наименование | BSM25GD120DN2E3224BOSA1 |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Описание Eng | 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| Нормоупаковка | 10 шт. |
| Корпус | 34 mm |
Похожие товары
Цена по запросу
