Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  200А, 1100Вт
Цена по запросу

FF200R12KT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер 1200В
Вес брутто 364 г.
Наименование FF200R12KT4HOSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100 W 7-Pin Tray
Тип упаковки Paper Box
Нормоупаковка 10 шт
Корпус 62 mm