Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTA114WCA-7-F, SOT-23 DIgItal TransIstors

Transistors/Thyristors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS PNP 200mW

Collector Current (Ic)	100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)	50V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)	24@10mA, 5V
Power Dissipation (Pd)	200mW
Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.05 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	24
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	24
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	0.3 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTA114
Тип	PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	2.13
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Вес, г	1