Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
![PDTC114ET,215, Транзистор, NPN Digital, 50В, 100мА, R1/R2=10кОм, [SOT-23-3]](/images/placeholder.jpg)
Цена по запросу
PDTC114ET,215, Транзистор, NPN Digital, 50В, 100мА, R1/R2=10кОм, [SOT-23-3]
Resistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors.
Полярность | npn |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 50 |
Ток коллектор-эмиттер, мА | 100 |
Резистор на входе Базы R1, кОм | 10 |
Резистор База-Эмиттер R2, кОм | 10 |
Корпус | SOT-23-3 |
Структура | npn с 2 резисторами |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
Корпус | sot-23 |
Вес, г | 0.05 |