Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTA114YCA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS PNP 200mW

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23

Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.05 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	68
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	68
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	0.3 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTA114
Тип	PNP Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.213
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Maximum Collector Emitter Voltage	-50 V
Maximum DC Collector Current	-100 mA
Maximum Emitter Base Voltage	40 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	200 mW
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Typical Input Resistor	10 kΩ
Typical Resistor Ratio	2.1
Вес, г	0.008