Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTA123JCA-7-F, Digital Transistors 200MW 2.2K 47K

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors Описание Транзистор: PNP, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 200мВт, SOT23

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.05 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	80
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTA123
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.047
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	DDTA123 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-3
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	50V
Maximum DC Collector Current	100mA
Pd - Power Dissipation	200mW
Вес, г	1