Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTC114EE-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 150mW

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 150mW

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	30
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	50 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTC114
Тип	NPN Pre-Biased Small Signal SOT-523 Surface Mount
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-523-3
Ширина	0.8 mm
Collector Emitter Voltage Max NPN	50В
Collector Emitter Voltage Max PNP	-
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	30hFE
Power Dissipation	150мВт
Квалификация	-
Количество Выводов	3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора	SOT-523
Линейка Продукции	-
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер	50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic	100мА
Полярность Цифрового Транзистора	Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2	10кОм
Резистор На входе Базы R1	10кОм
Соотношение Сопротивления, R1 / R2	-
Стандарты Автомобильной Промышленности	-
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-523
Вес, г	0.002