Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTC114ELP-7, Digital Transistors 250mW Single (R1/R2)

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 250mW Single (R1/R2)

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.47 mm
Длина	1 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	10
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	10
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	50 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	50 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTC114
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	DFN-1006-3
Ширина	0.6 mm
Вес, г	1