Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTC114TUA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PRE-BIAS NPN 200mW

Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	2.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	100
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	600
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTC114
Тип	NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.35 mm
Base Product Number	DDTC114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-70, SOT-323
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	10 kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-323
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100ВµA, 1mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Вес, г	0.008