Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DDTC123YCA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors Описание Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 10 кОм Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид NPN

Категория	Транзистор
Тип	биполярный
Вид	NPN
Pd - рассеивание мощности	200 mW (1/5 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1 mm
Длина	3.05 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	33
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	33
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTC123
Тип	NPN Pre-Biased Small Signal SOT-23 Surface Mount T
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.22
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	DDTC123 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	33 @ 10mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	250MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	200mW
REACH Status	REACH Unaffected
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-3
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Вес, г	1