Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DTA114EET1G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	35
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	35
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DTA114EE
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	10 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SC-75-3
Ширина	0.8 mm
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.21.00.95
Type	PNP
Configuration	Single
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)	100
Minimum DC Current Gain	35@5mA@10V
Typical Input Resistor (kOhm)	10
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.25@0.3mA@10mA
Typical Resistor Ratio	1
Maximum Power Dissipation (mW)	300
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel
Automotive	No
Standard Package Name	SOT
Pin Count	3
Supplier Package	SOT-416
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	0.75
Package Length	1.6
Package Width	0.8
PCB changed	3
Lead Shape	Gull-wing
Вес, г	0.0025