Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
DTA114EETL, Digital Transistors PNP 50V 50MA SOT-416
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP 50V 50MA SOT-416
Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.7 mm |
Длина | 1.6 mm |
Другие названия товара № | DTA114EE |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 30 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 50 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DTA114EET |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-416-3 |
Ширина | 0.8 mm |
Base Product Number | DTA114 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-75, SOT-416 |
Power - Max | 150mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | EMT3 |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Вес, г | 0.002 |