Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
DTA114EU3T106, Digital Transistors PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323; SC-70; UMT3
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP -50V -0.1A 10kO SOT-323;SC-70;UMT3
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Brand | ROHM Semiconductor |
Channel Mode | Enhancement |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | - 50 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | - 100 mA |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | - 100 mA |
Maximum Operating Frequency | 250 MHz |
Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Output Voltage | - 100 mV |
Package / Case | SOT-323-3 |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 200 mW |
Peak DC Collector Current | - 100 mA |
Product Category | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | PNP |
Typical Input Resistor | 10 kOhms |
Typical Resistor Ratio | 1 |
Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
Линейка Продукции | DTA114E Series |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |