Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

DTA123EM3T5G, Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital TransistorsБиполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP

Pd - рассеивание мощности	260 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.5 mm
Длина	1.2 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	8, 15
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	80
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Непрерывный коллекторный ток	0.1 A
Пиковый постоянный ток коллектора	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	DTA123EM3
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	2.2 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	0.1
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-723-3
Ширина	0.8 mm
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	50 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	0.1 A
DC Current Gain hFE Min	80 @ 5mA @ 10V
Manufacturer	ON Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Package / Case	D2PAK
Packaging	Reel
Peak DC Collector Current	100 mA
Power Dissipation	260 mW
Product Category	Digital Transistors
Transistor Polarity	PNP
Typical Input Resistor	2.2 K Ohm
Typical Resistor Ratio	0.1
Вес, г	1