Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
F3L200R07PE4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт
Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер | 650V |
Макс. ток коллектора | 200A |
Макс. рассеиваемая мощность | 680W |
Наименование | F3L200R07PE4BOSA1 |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 680000mW 20-Pin Tray |
Нормоупаковка | 6 шт. |