Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
F3L200R07PE4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт
Цена по запросу

F3L200R07PE4BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 200 А, 680 Вт Infineon Technologies
Макс. напр. коллектор-эмиттер 650V
Макс. ток коллектора 200A
Макс. рассеиваемая мощность 680W
Наименование F3L200R07PE4BOSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng Trans IGBT Module N-CH 650V 200A 680000mW 20-Pin Tray
Нормоупаковка 6 шт.