Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
GT50JR22, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 230 Вт
IGBT Discretes, Toshiba
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 50
Импульсный ток коллектора (Icm), А 100
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.55
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 230
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 250
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 330
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус to-3p(n)
Вес, г 6.5
Toshiba Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 600V |
| Макс. ток коллектора | 50A |
| Макс. рассеиваемая мощность | 230W |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Вес брутто | 6.55 г. |
| Наименование | GT50JR22 |
| Производитель | Toshiba Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 25 шт |
