Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FD150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В,  150А
Цена по запросу

FD150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А

Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер 1200В
Ток коллектора 150А
Вес брутто 180 г.
Наименование FD150R12RT4HOSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи коллектора
Нормоупаковка 10 шт.
Корпус 34 mm