Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FD150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 150А
Infineon Technologies
Напряжение коллектор-эмиттер | 1200В |
Ток коллектора | 150А |
Вес брутто | 180 г. |
Наименование | FD150R12RT4HOSA1 |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | IGBT-модуль, Trench-IGBT 4, 1200В, 150А, чоппер с диодом в цепи коллектора |
Нормоупаковка | 10 шт. |
Корпус | 34 mm |