Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"

Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт

Цена по запросу

FF100R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт

IGBT/IGBT 1200V 100A 34MM-1 Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 100 А Maximum Operating Temperature +150 °C Length 94мм Transistor Configuration Серия Brand Infineon Maximum Collector Emitter Voltage 1200 В Maximum Continuous Collector Current 100 А Package Type AG-34MM-1 Maximum Power Dissipation 555 W Mounting Type Монтаж на панель Minimum Operating Temperature -40 °C Width 34мм Высота 30.2мм Dimensions 94 x 34 x 30.2mm Configuration Серия Maximum Gate Emitter Voltage ±20V Channel Type N Вес, г 160 Infineon Technologies

Наименование	FF100R12RT4HOSA1
Производитель	Infineon Technologies
Описание Eng	IGBT module, Trench-IGBT 4, 1200V, 100A, dual, 555W
Тип упаковки	Paper Box
Нормоупаковка	10 шт
Корпус	AG-34MM