Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Цена по запросу

FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт

Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А Вес, г 160 Infineon Technologies
Наименование FF150R12RT4HOSA1
Производитель Infineon Technologies
Описание Eng IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray
Тип упаковки Tray (палетта)
Нормоупаковка 10 шт
Корпус 34 mm