Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт

Цена по запросу
FF150R12RT4HOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
Кол-во ключей в модуле 2, Напряжение К-Э 1.2 кВ, Рабочий ток при 25°C 150 А
Вес, г 160
Infineon Technologies
Наименование | FF150R12RT4HOSA1 |
Производитель | Infineon Technologies |
Описание Eng | IGBT Module N-CH 1200V 150A 790 W Tray |
Тип упаковки | Tray (палетта) |
Нормоупаковка | 10 шт |
Корпус | 34 mm |