Как мы работаем

По сертификату
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
FGA20N120FTDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт
Цена по запросу

FGA20N120FTDTU, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт

Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298 Вт ON Semiconductor
Макс. напр. коллектор-эмиттер 1200 В
Макс. ток коллектора 40 А
Импульсный ток коллектора макс. 60 А
Макс. рассеиваемая мощность 298 Вт
Корпус TO-3P
Вес брутто 6.9 г.
Наименование FGA20N120FTDTU
Производитель ON Semiconductor
Описание Eng IGBT N-CH 1200V 40A 298W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Tube
Тип упаковки Tube (туба)
Нормоупаковка 30 шт