Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGA25N120ANTDTU, Биполярный транзистор 1200 В, 25 А, 312 Вт
Характеристики
Структура igbt+диод
Максимальное напряжение кэ ,В 1200
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Управляющее напряжение,В 5.5
Мощность макс.,Вт 312
Крутизна характеристики, S -
Температурный диапазон,С -55…+150
Дополнительные опции встроенный быстродействующий диод
Корпус to-3p
Полезная информация
* Транзисторы IGBT компании "Fairchild Semiconductor"
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1200 В |
| Макс. ток коллектора | 50 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 90 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 312 Вт |
| Переключаемая энергия | 4.1 мДж |
| Корпус | TO-3P(N) |
| Вес брутто | 6.93 г. |
| Наименование | FGA25N120ANTDTU |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT+D 1200V, 25A, 312W, Tf |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 30 шт |
