Как мы работаем
По сертификату
"военный регистр"
"военный регистр"
Только с Юр. Лицами,
мелкий и крупный опт
мелкий и крупный опт
Цена по запросу
FGA50N100BNTD2, Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 1000 В, 50 А, 156 Вт
ON Semiconductor
| Макс. напр. коллектор-эмиттер | 1000 В |
| Макс. ток коллектора | 50 А |
| Импульсный ток коллектора макс. | 200 А |
| Макс. рассеиваемая мощность | 156 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Вес брутто | 6.401 г. |
| Наименование | FGA50N100BNTD2 |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Описание Eng | IGBT 1000V 50A 156W TO3P |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Нормоупаковка | 450 шт. |
